芯片超高功耗老化寿命试验
芯片超高功耗老化寿命试验
提供完整的芯片产品老化寿命试验项目,协助客户通过JEDEC、MIL—STD、等可靠性国际试验标准
提供完整的芯片产品老化寿命试验项目,包含技术整合咨询、实验设计规划、硬件设计制作、可靠性试验、寿命预估等一站式服务,协助客户通过JEDEC、MIL—STD、AEC-Q等可靠性国际试验标准。

服务背景

半导体产业是整个电子产业发展的领头羊,其中近年来因芯片功能的技术整合,指令周期越来越快速,以实现更强大的运算能力,但衍生产品的功耗瓦数(Watt,W)也不断提高,包括CPU、高速网通芯片、自动驾驶、AI等芯片均属之。有别于过去的高功率芯片定义,此类功耗往往高达三百甚至五百瓦以上者,业界又称为超高功率芯片(Ultra High Power Device)。

有别于过去设备均采用气冷模式,透过散热片将热传导到机台中,再以冷热空气交换,以维持芯片的稳定结温(Tj)。然而,对这类超高瓦数的芯片,得避免在运作过程中发生过热烧毁问题,无法以气冷方式控制,因此水冷系统了必备的装置。

华测蔚思博检测做为领先可靠度试验业界的先驱,经全方位评估,已购入美国MCC设备公司所制造之HPB-4B IC老化寿命试验设备,以作为产业发展之关键位置,协助客户优先完成验证,营销市场。

芯片超高功耗老化寿命试验

MCC HPB-4B特性

1.机台外观

与传统MCC设备结构相似,相同的操作接口,方便人员训练使用。但机构内建了水冷系统,属于此设备的特殊结构。

 

2.硬件架构

HPB-4B内建水冷系统,在超高功耗瓦数产品的寿命测试过程中,可以确保维持芯片温度的稳定度,硬件与水冷系统案例如下。

3.机台能力

  • 机台slot数:每部14 slots
  • 每一slot最少1 DUT,最多达8 DUTs
  • 19组power供给,最大每slot可提供2060安培电流
  • 单颗芯片瓦数范围50~600W
  • 64M向量深度
  • Thermal Diode温度监控
  • 密闭式冷却循环系统

服务优势

服务流程

常见问题
  • Q1:
    实验多久后可以取得报告?
    正常周期5~7个工作日,如需加急,请与业务联系。
  • Q2:
    是否可以提供实验设计方案?
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